ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se2

В.Ф.Гременок +, Г.А.Ильчук *, С.Е.Никитин, В.Ю.Рудь$ , Ю.В.Рудь

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук,
20072 Минск, Белоруссия
* Национальный университет \glqq Львивська политехника\grqq,
79013 Львов, Украина
$ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 апреля 2004 г. Принята к печати 28 апреля 2004 г.)

Методом магнетронного распыления мишени из ZnO с последующим осаждением на поверхность пленок Cu(In,Ga)Se2 получены тонкопленочные гетеропереходы n-ZnO(Al)/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Сделан вывод о возможностях применения бескадмиевых экологически безопасных гетероструктур в качестве высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучения.

 PDF версия (146Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster