ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками для инфракрасных фотоприемников диапазона 3-5 мкм

А.В.Антонов, Д.М.Гапонова, В.М.Данильцев, М.Н.Дроздов, Л.Д.Молдавская , А.В.Мурель,
В.С.Туловчиков, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Исследованы особенности формирования квантовых точек InAs методом металлорганической газофазной эпитаксии в зависимости от времени роста или эквивалентной толщины слоя InAs. Методами просвечивающей электронной микроскопии и фотолюминесценции показано, что увеличение времени роста квантовых точек в матрице GaAs приводит к изменению не только их размеров, но и формы --- увеличивается отношение вертикальных и латеральных размеров. Изготовлены многослойные селективно-легированные структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками, и проведено исследование инфракрасной фотопроводимости в продольной и вертикальной геометрии электонного транспорта. В режиме нормального падения излучения наблюдалась внутризонная фотопроводимость в среднем инфракрасном диапазоне (2.5-5 мкм) до температуры 110 K.

 PDF версия (154Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster