ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

Н.В.Востоков, С.А.Гусев, В.М.Данильцев, М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов,
А.И.Корытин*, А.В.Мурель, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Институт прикладной физики Российской академии наук,
603000 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицами Al. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.

 PDF версия (208Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster