ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии

Ю.В.Васильева, Ю.А.Данилов, Ант.А.Ершов, Б.Н.Звонков, Е.А.Ускова, А.Б.Давыдов *, Б.А.Аронзон *,
С.В.Гуденко *, В.В.Рыльков *, А.Б.Грановский +, Е.А.Ганьшина +, Н.С.Перов +, А.Н.Виноградов +

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
+ Российский научный центр \glqq Курчатовский институт\grqq,
123182 Москва, Россия
+ Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,
119899 Москва, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Развит метод легирования GaAs марганцем с использованием лазерного испарения металлической мишени в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Метод использован для формирования как однородно легированных слоев GaAs : Mn, так и двумерных структур, включающих delta-легированный марганцем слой GaAs и квантовую яму InxGa1-xAs, разделенные спейсером GaAs толщиной d=3-6 нм. Показано, что полученные структуры обладают при комнатной температуре измерений магнитооптическими и магнитными свойствами, обусловленными, вероятнее всего, наличием кластеров MnAs. В области низких температур (~30 K) выявлен аномальный эффект Холла, который объяснен обменным взаимодейтвием между ионами Mn посредством дырок 2D канала.

 PDF версия (194Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster