ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические явления в гетероструктурах InAs / GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами

Л.Е.Воробьев, В.Ю.Паневин, Н.К.Федосов, Д.А.Фирсов , В.А.Шалыгин,
A.D.Andreev +*, Ю.Б.Самсоненко $$, А.А.Тонких $$, Г.Э.Цырлин $$, Н.В.Крыжановская *,
В.М.Устинов *, S.Hanna $, A.Seilmeier $, N.D.Zakharov o, P.Werner o

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Department of Physics, University of Surrey,
Guildford, GU2 7XH, UK
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$$ Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия
$ Institute of Physics, University of Bayreuth,
Germany
o Max Planck Institute of Microstructure Physics,
06120 Halle (Saale), Germany

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Исследованы спектры внутризонного поглощения поляризованного излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых точках InAs / GaAs n- и p-типов, а также нелегированных, покрытых слоем InGaAs. Рассчитаны оптические матричные элементы для внутризонных переходов электронов и дырок в квантовых точках для разных поляризаций света, результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Показано, что внутризонное поглощение излучения электронами существенно превышает поглощение света дырками. Исследованы спектры фотолюминесценции и картины просвечивающей электронной микроскопии в искусственных молекулах, образованных парами квантовых точек.

 PDF версия (225Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster