ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности эпитаксиального наращивания GaN при пониженном давлении в реакторе МОГФЭ

О.И.Хрыкин, А.В.Бутин, Д.М.Гапонова, В.М.Данильцев, М.Н.Дроздов,
Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили распределения элементов по глубине слоев. Методом электрохимического C-V-профилирования проанализировано распределение носителей тока в сильно легированных структурах с p-n-переходом. Показано, что слои GaN, полученные в реакторе низкого давления, отличаются улучшенными структурными, электрическими и оптическими характеристиками.

 PDF версия (161Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster