ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование способов получения и свойств
квантовых молекул InAs в матрице GaAs

Ю.Б.Самсоненко , Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких, Н.К.Поляков,
Н.В.Крыжановская *, В.М.Устинов *, Л.Е.Воробьев $, Д.А.Фирсов $,
В.А.Шалыгин $, N.D.Zakharov $$, P.Werner $$, A.Andreev *o

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
$$ Max-Planck-Institut fur Microstrukturphysik,
06120 Halle (Saale), Germany
o Department of Physics, University of Surrey, UK

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезирован массив квантовых молекул InAs в матрице GaAs, состоящий из пар вертикально совмещенных квантовых точек InAs. Исследование полученных структур методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что вертикально совмещенные квантовые точки имеют одинаковый размер. Фотолюминесцентные измерения продемонстрировали наличие в спектрах исследуемых образцов полос, соответствующих электронным состояниям квантовых молекул.

 PDF версия (131Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster