ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спиновые эффекты в индуцированном параллельным
магнитным полем магнитосопротивлении двойной
квантовой ямы n-InxGa1-xAs / GaAs

М.В.Якунин , Г.А.Альшанский, Ю.Г.Арапов, В.Н.Неверов, Г.И.Харус, Н.Г.Шелушинина,
Б.Н.Звонков *, Е.А.Ускова *, А.де Виссер $, Л.Пономаренко $

Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
620219 Екатеринбург, Россия
* Физико-технический институт Нижегородского государственного университета, им. Н.И. Лобачевского,
603600 Нижний Новгород, Россия
$ Институт Ван-дер-Ваальса--Зеемана, Университет Амстердама,
Нидерланды

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

В магнитном поле, ориентированном параллельно слоям двойных квантовых ям, изготовленных в гетеросистеме n-InxGa1-xAs / GaAs (x~0.18), обнаружены и исследованы особенности магнитосопротивления, обусловленные прохождением краев туннельной щели через уровень Ферми. Показано, что для достижения согласия расчетных положений этих особенностей с экспериментальными нужно учитывать спиновые расщепления в энергетическом спектре. Ранее подобные особенности магнитосопротивления наблюдались только в гетеросистеме n-GaAs / AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, но спиновые эффекты в ней не проявлялись.

 PDF версия (281Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster