ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Латеральная фотопроводимость структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми ямами и самоорганизующимися квантовыми точками при межзонной подсветке

О.А.Шегай , А.К.Бакаров, А.К.Калагин, А.И.Торопов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Представлены экспериментальные результаты по изучению особенностей зависимости латеральной фотопроводимости структур AlGaAs / InGaAs с квантовыми точками и квантовыми ямами от интенсивности межзонного света при низких температурах. Обнаружено, что рост фотопроводимости происходит пороговым образом. В области относительно больших тянущих полей наблюдались осцилляции фотопроводимости. Изучено влияние тянущего поля и температуры на фотопроводимость. Результаты анализируются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда по локализованным состояниям при учете релаксации механического напряжения вокруг квантовых точек.

 PDF версия (218Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster