ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Особенности структурного взаимодействия в гетероструктурах (AlGaIn)N / GaN как дислокационных фильтрах

И.П.Сошников , Н.Н.Леденцов, А.Ф.Цацульников, А.В.Сахаров,
В.В.Лундин, Е.Заварин, А.В.Фомин, D.Litvinov *, E.Hahn *, D.Gerthsen *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Университет Карлсруэ, Карлсруэ, Германия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Проведены исследования структурных взаимодействий прорастающих дислокаций и слоев AlGaN и InGaN в гетероструктурах на основе GaN. Показано, что наиболее эффективная фильтрация дислокаций наблюдается на слоях InGaN промежуточного состава. Оценки структурных напряжений, создаваемых дислокациями и нанодоменами, показывают хорошее согласие теории и эксперимента.

 PDF версия (167Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster