ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

\glqq Необычная\grqq остаточная фотопроводимость в квантовой яме InAs/AlSb

Ю.Г.Садофьев, A.Ramamoorthy, J.P.Bird, S.R.Johnson, Y.-H.Zhang

Department of Electrical Engineering \& Center for Solid State Electronics Research,
Arizona State University, Tempe, AZ 85287-5706, USA

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Продемонстрированы необычные особенности остаточной фотопроводимости в квантовой структуре InAs/AlSb, снабженной обратным затвором. Отрицательная остаточная фотопроводимость позволила уменьшить концентрацию электронов на один полный порядок величины от 6· 1011 см-2. Это наибольшее изменение концентрации электронов для данного эффекта. В дополнение к сильной остаточной отрицательной фотопроводимости наблюдалась бистабильность релаксации сопротивления структуры при ее освещении квантами из видимой области спектра. Данные явления приписаны влиянию тонкой пленки германия, осажденной на поверхность структуры перед фотолитографией и формирующей область накопления дырок в слое GaSb из последовательности расположенных над квантовой ямой слоев Ge/GaSb/AlSb. Инфракрасное излучение инициирует биения осцилляций Шубникова-де-Гааза в области низких магнитных полей. Мы считаем, что эти биения обусловлены спиновым расщеплением в нулевом магнитном поле за счет асимметрии потенциального профиля квантовой ямы, индуцированной длительным освещением структуры.

 PDF версия (303Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster