ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Кинетика роста поверхностного аморфного слоя при низкотемпературном облучении кремния
быстрыми тяжелыми ионами

А.Ю.Азаров

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 17 мая 2004 г. Принята к печати 24 мая 2004 г.)

Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной области Si при облучении ионами Bi с энергией 0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.

 PDF версия (126Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster