ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл--диэлектрик--полупроводник

В.А.Терехов, А.Н.Манько, Е.Н.Бормонтов, В.Н.Левченко, С.Ю.Требунских,
Е.А.Тутов, Э.П.Домашевская

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

(Получена 6 апреля 2004 г. Принята к печати 11 мая 2004 г.)

Исследованы изменения в структурах Al/SiO2/Si, возникающие в результате воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего фронта импульса 1.4· 10-9 с и с общей длительностью импульса ~ 11.5· 10-9 с, частотой следования импульсов 10 кГц и различной энергией в импульсе (=<sssim 2.4· 10-4 Дж). Измерены вольт-фарадные характеристики таких структур до, во время и после воздействия сверхкороткими импульсами. В зависимости от энергии импульса обнаружены изменения во время воздействия, связанные с перестройкой неравновесной дефектной структуры границы раздела с полупроводником и поляризацией диэлектрика, а также необратимые изменения, связанные с пробоем, наблюдаемые и после выключения воздействия.

 PDF версия (206Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster