ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Свойства светодиодов на основе GaSb с сетчатыми омическими контактами

А.Н.Именков, Е.А.Гребенщикова, Б.Е.Журтанов, Т.Н.Данилова,
М.А.Сиповская, Н.В.Власенко, Ю.П.Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 апреля 2004 г. Принята к печати 19 апреля 2004 г.)

Сообщается об исследовании светодиодов на основе гетероструктур GaSb-GaInAsSb-GaAlAsSb, излучающих за счет электронных переходов из зоны проводимости на уровни собственных двухзарядных акцепторов. Экспериментально и теоретически исследованы светодиоды в виде параллелепипеда как с круглым контактом, так и с сетчатым контактом на поверхности эптиксиального слоя. Приводятся математические соотношения, описывающие растекание тока из круглых и сетчатых контактов. Показано, что сетчатые контакты обеспечивают равномерное распределение тока по площади излучающего слоя в отличие от круглых контактов. Плотность тока под сетчатым контактом реально в 20 раз меньше, чем под круглым, что особенно актуально для длинноволновых светодиодов (lambda>~=2 мкм), в которых велик вклад безызлучательной оже-рекомбинации. С сетчатыми контактами получена мощность излучения 3.5 мВт при токе 300 мА.

 PDF версия (296Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster