ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Создание и фоточувствительность гетеропереходов
на кристаллах CuIn3Se5

И.В.Боднарь *, С.Е.Никитин, Г.А.Ильчук, В.Ю.Рудь +, Ю.В.Рудь , М.В.Якушев o

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220030 Минск, Белоруссия
+ Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
o Университет Стратклайда,
G40NG Глазго, Великобритания

(Получена 22 декабря 2003 г. Принята к печати 25 декабря 2003 г.)

Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

 PDF версия (243Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster