| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Светочувствительные полимерные полупроводники
О б з о р
Е.Л.Александрова
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Получен 19 января 2004 г. Принят к печати 20 февраля 2004 г.)
| Для гомологических рядов основных классов светочувствительных полимерных полупроводников и их донорно-акцепторных комплексов с различными сенсибилизаторами проанализированы модели фотогенерации носителей заряда и структурные закономерности фотоэффекта. Изучена связь химической структуры полимеров с их фотофизическими свойствами на основе изучения спектров квантового выхода фотогенерации носителей заряда при изменении энергетической и пространственной структуры мономерного звена полимера и молекул комплекса. Установлено наличие общих для основных классов полимерных полупроводников и донорно-акцепторных комплексов закономерностей изменения квантового выхода в зависимости от параметров структуры молекул. Сопоставление экспериментальных результатов с расчетами, выполненными на основе структурочувствительной модели онзагеровской фотогенерации, позволило оценить величины начального расстояния и степени переноса заряда в возбужденном состоянии молекул комплексов, а полученные значения дипольных моментов --- с гиперполяризуемостью в нелинейно-оптических средах, созданных с использованием данных полимеров и комплексов. Установленные структурные закономерности фотофизических процессов дают возможность прогнозировать предельный квантовый выход фотопроцессов в полимерных органических полупроводниках и их молекулярных комплексах, а также предельные величины светочувствительности регистрирующих сред на их основе. |
| PDF версия (1.4Mb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2004, Коллектив авторов Разработано... webmaster |