ФТП, 2004, том 38, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками

В.М.Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 февраля 2004 г. Принята к печати 11 февраля 2004 г.)

Полупроводниковые гетерoструктуры с квантовыми точками для приборных применений в настоящее время синтезируются с использованием эффекта спонтанной трансформации поверхности роста на начальной стадии гетероэпитаксии слоев, отличающихся параметрами решетки. При достижении определенной критической толщины плоская поверхность роста преобразуется в массив наноразмерных островков, как это было впервые продемонстрировано для системы InAs/GaAs. Для различных приборных применений необходимо иметь возможность управлять формой и размерами квантовых точек, что достигается путем изменения эффективной толщины слоя InAs, осаждением нескольких рядов квантовых точек, использованием разных материалов в качестве матрицы, использованием метаморфного буферного слоя, добавлением небольших количеств азота в квантовые точки и материал матрицы.

 PDF версия (532Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster