Излагаются результаты исследований основных физических характеристик InN, который до настоящего времени остается наименее изученным из нитридов элементов III группы. Мы приводим анализ оптических исследований InN, выполненных в ранних работах, и сопоставление их с результатами последних исследований. Новые экспериментальные факты, приводимые в данном обзоре, относятся к гексагональным монокристаллическим эпитаксиальным слоям InN с концентрацией электронов в пределах от $(1-2)$·10¹⁸ до $6$·10²⁰ см$-3$, выращенных методами MBE (молекулярно-пучковой эпитаксии) и MOVPE (газофазной эпитаксии из металлорганических соединений) на подложках Al$$₂O$$₃. В обзоре приводятся основные структурные и электрические характеристики эпитаксиальных слоев гексагонального InN. Эти данные являются результатом применения целого набора аналитических методов исследования. Большое внимание уделено комплексному анализу спектров межзонного поглощения, фотолюминесценции, возбуждения люминесценции и фотомодулированного отражения в области края собственного поглощения. Основным результатом исследований оптических спектров, проведенных в последнее время, является установление того факта, что гексагональный кристалл InN является узкозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны 0.65--0.7 эВ. Ранее значение ширины запрещенной зоны считалось равным 1.89 эВ. Показано, что корректный учет эффекта Бурштейна--Мосса объясняет большое различие между шириной запрещенной зоны и порогом оптического поглощения в образцах InN с высокой концентрацией электронов. Малое значение ширины запрещенной зоны гексагонального InN подтверждается оптическими исследованиями твердых растворов In$$_xGa$$_1-xN в области больших концентраций In. Дан также краткий обзор теоретических расчетов зонной структуры гексагональных кристаллов InN.