ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Выступ на спектрах поглощения GaAs, возбужденного мощными пикосекундными импульсами света

Г.С.Алтыбаев, И.Л.Броневой *, С.Е.Кумеков

Казахский национальный технический университет,
480013 Алматы, Казахстан
* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
101999 Москва, Россия

(Получена 3 ноября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Рассчитаны спектры поглощения GaAs, возбужденного мощными короткими импульсами света. \glqq Выступ\grqq на спектрах обусловлен отклонением функции распределения электронов от фермиевской. Возмущение функции распределения связано с LO-фононной релаксацией электронов между состояниями, участвующими в формировании \glqq дыры\grqq в области усиления и выступа в области поглощения. Показано, что температура оптических фононов, определяющих релаксацию фотовозбужденных электронов, отличается от решеточной, а время залечивания возмущения фермиевской функции распределения за счет межэлектронных столкновений почти равно характерному времени взаимодействия электрона с оптическими фононами.

 PDF версия (125Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster