ФТП, 2004, том 38, выпуск 6: page 665...

ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах $p$ -Si

Т.А.Пагава

Грузинский технический университет,
380075 Тбилиси, Грузия

(Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Исследовались образцы

p

-Si, облученные электронами с энергией 8 МэВ. На основе анализа зависимостей времени жизни неосновных носителей тока

tau, удельного сопротивления

rho, концентрации

p

и холловской подвижности

mu_H от температуры изохронного отжига

T

_ann высказано предположение, что многокомпонентные комплексы

V

₃+O или

V

₂+O₂ не являются рекомбинационными центрами. Глубокие доноры с энергетическими уровнями

Delta E_i=E_v+0.40 эВ, комплексы типа

V

₃+O₃ или

V

₃+O₂ влияют на величины

mu_H и

tau. По кривым изохронного отжига определены энергии активации отжига

E

_ann для таких дефектов, как

K

-центры, межузельный углерод C

_i, комплексы

V+B

V

₂+O₂, дивакансии

V

₂, а также для дефектов с уровнями

Delta E_i=E_v+0.20 эВ, которые равняются

E

_ann=0.9, 0.25, 1.6, 2, 1.54 и 2.33 эВ соответственно.