ФТП, 2004, том 38, выпуск 5: page 580...

ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Геометрическая структура и спектральные характеристики электронных состояний кремниевых наночастиц

С.И.Курганский, Н.А.Борщ

Воронежский государственный университет,
394006 Воронеж, Россия

(Получена 8 сентября 2003 г. Принята к печати 11 сентября 2003 г.)

Представлены результаты оптимизации геометрической структуры и расчета электронной структуры кремниевых анионных кластеров Si

₁₂^---Si

₁₆^-. Для расчетов использовался полуэмпирический метод РМЗ. Рассматривались состояния с различной мультиплетностью (

2S+1=2,4

и 6). Сопоставление результатов расчета с экспериментальными фотоэлектронными спектрами показало, что для кластеров Si

₁₂^---Si

₁₄^- хорошее согласие наблюдается для состояний с мультиплетностью 2. Для кластеров Si

₁₅^- и Si

₁₆^- с экспериментом согласуются спектры для мультиплетных состояний 4 и 2 соответственно.