ФТП, 2004, том 38, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe

В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, В.Я.Костюченко *, В.Н.Овсюк, Д.Ю.Протасов

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Сибирская государственная геодезическая академия,
630108 Новосибирск, Россия

(Получена 23 сентября 2003 г. Принята к печати 17 октября 2003 г.)

Проведено исследование температурных зависимостей подвижности электронов в пленках Hg1-xCdxTe p-типа проводимости с x=0.210-0.223, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В диапазоне температур 125-300 K подвижность находили методом спектра подвижности, а для температур 77-125 K с помощью предложенного в данной работе метода магнитофотопроводимости. Метод основан на измерении магнитополевой зависимости фотопроводимости. Магнитное поле направлено параллельно излучению и перпендикулярно поверхности образца. Подвижность электронов определяется с помощью простого выражения mun [м2/В·с]=1/BH [Тл], где BH --- индукция магнитного поля, соответствующая половине амплитуды сигнала фотопроводимости при нулевом магнитном поле. В температурном диапазоне 100-125 K результаты, полученные методами магнитофотопроводимости и спектра подвижности, совпадают. Для исследованных образцов подвижность электронов при температуре 77 K лежит в диапазоне 5-8 м2/В·c.

 PDF версия (259Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster