Теоретически проанализированы зависимости концентрации носителей заряда в кремниевых квантовых нитях, находящихся в оболочке из двуокиси кремния, от диаметра нитей и местоположения атомов примеси относительно центра нитей. Показано, что по мере уменьшения диаметра нитей и нанокристаллов энергия залегания легирующей примеси увеличивается, соответственно концентрации носителей заряда уменьшается, и экранирование кулоновского притяжения становится неэффективным. В результате механизм фотолюминесценции определяется излучательной рекомбинацией экситонов даже в случае сильно легированного кремния. Экспериментальные исследования спектральных, люкс-ваттных и температурных зависимостей фотолюминесценции в структурах пористого кремния, полученных при использовании слабо и сильно легированных кремниевых подложек, подтверждают эти выводы.