-1 Статья посвящена изучению транспорта электронов через однобарьерные гетероструктуры GaAs/AlAs/GaAs, обусловленного процессами резонансного туннелирования между двумерными состояниями, принадлежащими долине $$Gamma зоны проводимости GaAs, и различными двумерными или нуль-мерными донорными состояниями, принадлежащими нижним долинам $X$ зоны проводимости AlAs. Было обнаружено резонансное туннелирование электронов как через различные двумерные состояния, относящиеся к долинам $X$_z и $X$_xy в AlAs (состояния $X$_z и $X$_xy), так и через связанные с ними состояния доноров Si $XD$_z и $XD$_xy. Это позволило непосредственно из результатов идентификации резонансных особенностей транспортных характеристик определить энергии связи этих донорных состояний $E$_B(X^D_z)~ 50 мэВ и $E$_B(X^D_xy)~ 70 мэВ соответственно. Анализ структуры экспериментальных резонансов, соответствующих туннелированию в магнитном поле между $$Gamma- и $X$-уровнями Ландау, позволил нам определить значение поперечной эффективной массы в $X$-долинах AlAs $m$_t=(0.2± 0.02)m₀. Обнаружена дополнительная тонкая структура донорных резонансов на экспериментальных транспортных характеристиках, вызванная резонансным туннелированием электронов через состояния доноров, расположенных в различных атомных слоях барьера AlAs (в направлении роста) и обладающих, вследствие этого, различными энергиями связи.