ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Получение гетероструктур окисел--p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками

В.Н.Катеринчук , З.Д.Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина

(Получена 30 июля 2003 г. Принята к печати 9 сентября 2003 г.)

Методом термического окисления на воздухе кристаллов моноселенида индия изготовлены гетероструктуры собственный окисел--p-InSe. Долговременное (на протяжении 1--5 суток) окисление подложек InSe при 450oC приводит к изменению как спектральной полосы фоточувствительности, так и фотоэлектрических параметров гетероструктур по сравнению с образцами, окисленными 5--15 мин. Эти изменения есть следствие послойного образования дополнительных фаз окислов на поверхности полупроводника. Для наилучших гетероструктур напряжение холостого хода достигает 0.6 В, а ток короткого замыкания --- 30--35 мА/см2 в режиме насыщения. Электрические характеристики гетероструктур искажены влиянием последовательного сопротивления, что затрудняет определение высоты потенциального барьера и механизма протекания тока через него.

 PDF версия (229Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster