ФТП, 2004, том 38, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электротранспортные процессы в монокристаллах антимонида галлия с участием расплавленных включений GaSb--Sn

А.М.Орлов, А.А.Скворцов, А.А.Саланов

Ульяновский государственный университет,
432970 Ульяновск, Россия

(Получена 15 апреля 2003 г. Принята к печати 18 июня 2003 г.)

Исследована электромиграция расплавленных включений на основе олова в монокристаллическом (111) p-GaSb(Zn). Показано, что в температурном интервале T=750-920 K расплавленные включения вытесняются током (j=(1-4)· 105 А/м2) в направлении отрицательного электрода. Установлен механизм этого явления, связанный с концентрационными изменениями в объеме расплавленного включения. Отмечено, что транспорт включений спровоцирован двумя конкурирующими процессами: температурными изменениями на межфазных границах под воздействием теплоты Пельтье и силами электропереноса, приводящими к перераспределению компонентов с учетом их эффективных зарядов в расплаве. Установлена размерная зависимость скорости перемещения включений W в объеме монокристаллической матрицы: W возрастает с увеличением размера включений. Независимыми методами экспериментально определены численные значения термоэлектрических параметров всех контактирующих фаз. Это позволило по согласованию теории с экспериментом провести количественную оценку не только эффективного заряда полупроводника в расплаве Z*, но и объяснить размерную зависимость величины активационного барьера, преодолеваемого дрейфующим включением.

 PDF версия (135Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster