ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Diffusion of Chromium in Thin Hydrogenated Amorphous Silicon Films

S.K.Persheyev , P.R.Drapacz, M.J.Rose, A.G.Fitzgerald

Carnegie Laboratory of Physics,
Electronic Engineering and Physics Division,
University of Dundee, Dundee, DD1 4HN, Scotland, UK

(Получена 17 июля 2003 г. Принята к печати 18 июля 2003 г.)

The diffusion of chromium bottom contact has been studied through thin 10 nm amorphous silicon film. The concentration of the diffused impurity has been analysed by an X-ray photon spectroscopy technique and the diffusion coefficient was estimated. Diffusion annealing was carried out in vacuum (10-6 mTorr), the temperature was kept at 400oC and annealing time varied from 0-300 min. The authors propose that diffusion of chromium in thin hydrogenated amorphous film limited by silicide formation at the metal-silicon interface.

 PDF версия (129Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster