ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Критический анализ исследования глубоких уровней
в высокоомных монокристаллах CdS методом
фотоэлектрической нестационарной спектроскопии

А.П.Одринский

Институт технической акустики Национальной академии наук Белоруссии,
210017 Витебск, Белоруссия

(Получена 26 июня 2003 г. Принята к печати 26 августа 2003 г.)

Обсуждается исследование высокоомных монокристаллов CdS методом фотоэлектрической нестационарной спектроскопии глубоких уровней (ФЭНСГУ). Проведено компьютерное моделирование эксперимента, позволившее сравнить результаты экспериментов, полученные методами ФЭНСГУ и термостимулированной проводимости. Сравниваются экспериментальные возможности этих методов.

 PDF версия (177Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster