ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Магнитные исследования широкозонных полупроводников Cd1-xZnxTe (x=0.12,0.21)

Ю.В.Шалдин , И.Вархульска *, М.Х.Рабаданов, В.К.Комарь +

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук,
119333 Москва, Россия
* International Laboratory of Strong Magnetic Fields and Low Temperature,
53-241 Wroclaw, Poland
+ НТК \glqq Институт монокристаллов\grqq Национальной академии наук Украины,
61001 Харьков, Украина

(Получена 25 июня 2003 г. Принята к печати 9 июля 2003 г.)

Представлены результаты измерений намагниченности M и магнитной восприимчивости chi кристаллов Cd1-xZnxTe. В магнитном поле H<2 кЭ обнаружен гистерезис зависимости M(H), обусловленный наличием магнитных кластеров произвольной ориентации. Существенный вклад в магнитную восприимчивость вносит ван-флековский парамагнетизм, вызванный электрическими полями дефектов. Наличие аномалий зависимости chi(T) в области температур T<50 K связано в одном случае (x=0.12) с изменением зарядового состояния межузельного теллура, в другом (x=0.21) --- либо с парамагнетизмом невзаимодействующих дефектов, либо с антиферромагнитным упорядочением дефектной подсистемы, образованной ZnCd и Tei. Установлено влияние отжига на магнитное состояние дефектной подсистемы в образцах.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster