Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb, InAs и GaAs выращены эпитаксиальные слои твердых растворов Al$$_xGa$$_1-xAs$$_ySb$$_1-y и GaAs$$_ySb$$_1-y различных составов с использованием как традиционного, так и крекингового источников сурьмы. Рассчитаны коэффициенты встраивания для двух- и четырехатомных молекул сурьмы, интегрально характеризующие кинетические процессы на поверхности роста. Показаны различия во встраивании двух- и четырехатомных молекул при молекулярно-пучковой эпитаксии GaAsSb. Исследовано влияние основных технологических параметров (температуры подложки и величины падающих потоков атомов III и V групп) на состав твердых растворов и величину коэффициента встраивания сурьмы. Показано, что для случая твердых растворов (Al,Ga)AsSb величина коэффициента встраивания четырех- и двухатомных молекул сурьмы может изменяться в значительных пределах в зависимости от температуры роста и соотношения скоростей поступления атомов III группы и молекул сурьмы на поверхность роста.