ФТП, 2004, том 38, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Генезис наноразмерных дефектов и разрушений в GaAs
при многократном квазистатическом фотодеформировании микронных областей полупроводника

С.В.Винценц *, А.В.Зайцева, В.Б.Зайцев, Г.С.Плотников

* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
141120 Фрязино, Россия
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119899 Москва, Россия

(Получена 13 мая 2003 г. Принята к печати 19 мая 2003 г.)

Методами атомно-силовой микроскопии, фототермических (квазистатических) деформаций поверхностей и по кинетике интенсивности зеркально отраженного света изучены особенности дефектообразования в GaAs в зависимости от числа N воздействующих на полупроводник сфокусированных лазерных импульсов. Облучение полупроводника сопровождалось его электронным возбуждением, локальным нагревом и деформированием поверхностных слоев. Впервые показано, что генезис поверхностных дефектов и разрушений полупроводника (внутри лазерного пятна микронных размеров) носит многостадийный характер вблизи порогов пластичности. Дефектно-индуцированные и пластические нанометровые поверхностные смещения Delta Uz нарастают с увеличением N лишь при превышении сдвиговыми деформациями поверхностей varphi определенных ранее величин 10-5<varphi0<10-4 деформационных пределов упругости (квазиупругости) в GaAs. Обсуждается природа возникновения наноразмерных дефектов и их самоорганизации на ранних стадиях фотодеформаций полупроводника, а также возможная связь обнаруженных эффектов с последующим катастрофическим разрушением микронных областей GaAs при больших значениях N.

 PDF версия (775Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster