ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Экспериментальное исследование p-i-n-диодов на основе SiC в 3-сантиметровом диапазоне

К.В.Василевский, П.Б.Гамулецкая *, А.В.Кириллов *, А.А.Лебедев, Л.П.Романов *, В.А.Смирнов *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* ЗАО \glqq Светлана-Электронприбор\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 28 мая 2003 г. Принята к печати 2 июня 2003 г.)

Приведены результаты экспериментальных исследований p-i-n-диодов на основе SiC в конструкции переключателя 3-сантиметрового диапазона на базе волноводно-щелевой линии. Получены значения потерь запирания переключателя 18.5--23 дБ при токе управления 100 мА. Приведена сравнительная оценка последовательного сопротивления на частоте 10 ГГц и дифференциального сопротивления на низких частотах p-i-n-диодов на основе Si и SiC.

 PDF версия (86Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster