ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сверхскоростной электронный дрейф в полевых полупроводниковых структурах с секционированным каналом

В.А.Гергель, Ю.В.Гуляев, А.П.Зеленый, М.Н.Якупов

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
101999 Москва, Россия

(Получена 27 мая 2003 г. Принята к печати 27 мая 2003 г.)

Исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в специфических полупроводниковых структурах, в которых сравнительно высокоомная дрейфовая область разделена на несколько нанометровых подобластей соответствующим числом низкоомных включений также нанометровой протяженности. Показано, что в расположенных на дрейфовых электронных траекториях низкоомных участках происходит эффективное снижение электронной температуры, обеспечивающее сохранение высокой электронной подвижности на высокоомных участках траектории. В результате известный эффект падения электронной подвижности подавляется, и становится возможным достижение сравнительно высоких, существенно превышающих скорость насыщения, значений эффективной дрейфовой скорости электронного потока.

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster