ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах

С.И.Борисенко

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова,
634050 Томск, Россия

(Получена 12 марта 2003 г. Принята к печати 19 мая 2003 г.)

Проведен расчет продольной и поперечной подвижности электронов нижней минизоны сверхрешетки GaAs/Al0.35Ga0.65As в случае рассеяния на дальнодействующем потенциале полярных оптических фононов при T=300 K. Проведен анализ парциальных вкладов в подвижность и эффективное время релаксации от различных мод колебаний дальнодействующего потенциала таких фононов. Исследованы зависимости подвижности и эффективного времени релаксации как на полярных оптических, так и на акустических фононах от ширины квантовой ямы сверхрешетки и от температуры. Расчет выполнен с помощью линеаризованного уравнения Больцмана. Скалярный потенциал полярных оптических фононов рассчитывался в модели диэлектрического континуума.

 PDF версия (166Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster