ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17

И.В.Боднарь , Г.А.Ильчук +, В.Ю.Рудь *, Ю.В.Рудь +

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220072 Минск, Белоруссия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
+ Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 апреля 2003 г. Принята к печати 21 апреля 2003 г.)

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены кристаллы тройного соединения AgIn11S17. Проведены измерения кинетических коэффициентов и впервые созданы фоточувствительные структуры на основе полученных кристаллов. Определены фотоэлектрические параметры твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, оценена ширина запрещенной зоны для соединения AgIn11S17 и обсуждается характер межзонных переходов в этом соединении. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster