ФТП, 2004, том 38, выпуск 2: page 164...

ФТП, 2004, том 38, выпуск 2

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn₂S₄ и MnGa₂S₄

Н.Н.Нифтиев, О.Б.Тагиев

Азербайджанский государственный педагогический университет,
370000 Баку, Азербайджан

(Получена 23 мая 2003 г. Принята к печати 2 июня 2003 г.)

Приводятся результаты исследования вольт-амперных характеристик

I(U)

монокристаллов MnIn

₂S

₄ и MnGa

₂S

₄ в темноте и под действием света. Вольт-амперная характеристика монокристалла MnIn

₂S

₄ в темноте содержит участки

I прапорционально U

I прапорционально U

² и

I прапорционально U

³, а под действием света ---

I прапорционально U

I прапорционально U

^3/2 и

I прапорционально U

^2.5. Выявлено, что световой ток почти в

10

⁴ раза больше темнового. В монокристаллах MnGa

₂S

₄ под действием света вольт-амперная характеристика имеет участки

I прапорционально U

I прапорционально U

^3/2. Дано объяснение этих зависимостей.