ФТП, 2003, том 37, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур

А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин , С.О.Слипченко, З.Н.Соколова, Н.В.Фетисова, А.Ю.Лешко,
В.В.Шамахов, А.Ю.Андреев *, Е.Г.Голикова *, Ю.А.Рябоштан *, И.С.Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Сигм Плюс,
117342 Москва, Россия

(Получена 19 мая 2003 г. Принята к печати 20 мая 2003 г.)

Разработана технология получения гетероструктур раздельного ограничения с сильнонапряженными квантовыми ямами в системе твердых растворов InGaAsP/InP методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы свойства InGaAsP и InGaAs квантовых ям и проанализировано влияние параметров гетероструктуры на длину волны излучения. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые и одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 мкм. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 1.6 Вт и 150 мВт многомодовых и одномодовых лазерных диодов соответственно. Одномодовый режим генерации сохранялся вплоть до 100 мВт.

 PDF версия (298Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster