Явление фотоосаждения серебра было обнаружено в гетеропереходах CdSe--As$$₂S$$₃ : Ag$$_x ($x=0.9-2.4$). Массоперенос ионов серебра к границе раздела слоев обусловлен электрическим полем, которое возникает из-за разделения электронно-дырочных пар в областях пространственного заряда гетероперехода при генерации фотоэдс. Такая миграция ионов также стимулируется увлечением ионов электронным потоком. Рекомбинация электронов с ионами на границе раздела слоев приводит к фотоосаждению кластеров химического элемента, ответственного за ионную проводимость в твердом электролите. Предложен новый метод изготовления материала для оптической записи информации на основе явления фотостимулированного переноса ионов и фотоосаждения металла в гетеропереходах на основе твердого электролита.