ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов

И.В.Грехов, А.С.Кюрегян *, Т.Т.Мнацаканов *, С.Н.Юрков *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,
Москва, Россия

(Получена 10 февраля 2003 г. Принята к печати 17 февраля 2003 г.)

Проведен сравнительный анализ влияния различных факторов, определяющих характер восстановления блокирующей способности карбид-кремниевых диодов. Показано, что доминирующим является механизм, обусловленный большой величиной отношения подвижностей электронов и дырок в SiC. Именно этот механизм приводит к тому, что, независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности плазмы в высокоомной базе, эффект сверхбыстрого (субнаносекундного) обрыва тока может наблюдаться при восстановлении карбид-кремниевых диодов с базой p-типа, а \glqq мягкое\grqq восстановление присуще только диодам с базой n-типа.

 PDF версия (189Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster