| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов Er в многослойных селективно легированных Si : Er-структурах
С.В.Гастев, А.М.Емельянов, Н.А.Соболев, Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник, В.Б.Шмагин
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603095 Нижний Новгород, Россия
(Получена 17 января 2003 г. Принята к печати 21 января 2003 г.)
| Измерены эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни ионов эрбия в возбужденном состоянии для структур Si : Er/Si/Si : Er/Si/Si, изготовленных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Полученные результаты показывают, что значительное повышение интенсивности фотолюминесценции ионов эрбия в селективно легированном кремнии по сравнению с однородно легированным не связано с изменениями излучательного времени жизни, эффективного сечения возбуждения и времени жизни ионов эрбия в возбужденном состоянии. |
| PDF версия (155Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |