ФТП, 2003, том 37, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Междолинное перераспределение электронов при низких температурах и магнитодиодный эффект

А.А.Абрамов, И.Н.Горбатый

Московский государственный институт электронной техники (Технический университет),
103498 Москва, Россия

(Получена 2 декабря 2002 г. Принята к печати 17 декабря 2002 г.)

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик кремниевых p-i-n-структур в поперечном к току магнитном поле при температуре 77 K. Особенности вольт-амперных характеристик и магниточувствительности при низких температурах объяснены суперпозицией анизотропных размерных эффектов, вызванных силой Лоренца и междолинным перераспределением электронов. Это перераспределение в свою очередь может быть следствием либо полевого разогрева электронов (эффект Сасаки) в объеме полупроводника, либо нарушением вблизи поверхности полупроводника взаимной компенсации поперечных потоков электронов, принадлежащих разным долинам.

 PDF версия (96Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster