Исследовано влияние концeнтрации легирующей примеси и кристаллографической ориентации поверхности роста на захват кремния в подрешетки А и В при молекулярно-лучевой эпитаксии арсенида галлия. Слои арсенида галлия выращивались на подложках GaAs ориентаций (100), $2o$(100), $4o$(100), $8o$(100) при температуре $520o$C и на подложках ориентаций (111)А, $2o$(111)A, $5o$(111)A, $6o$(111)A, $8o$(111)A при температуре $480o$C. Концентрация кремния варьировалась в пределах $1017-1019$ cм$-3$. С помощью электрофизических и фотолюминесцентных методов исследований обнаружено, что примесь кремния присутствует в слоях GaAs в узлах обеих подрешеток как в элементарном виде (Si$$_Ga, Si$$_As), так и в виде комплексов типа Si$$_Ga--Si$$_As, Si$$_Ga-V_Ga и Si$$_As-V_As. Концентрация Si в различных формах зависит от уровня легирования слоев и ориентации поверхности роста. Амфотерные свойства кремния проявляются на грани (111)А сильнее, чем на грани (100). Показано, что формирование примесных дефектов происходит на стадии кристаллизации слоя и определяется структурой ростовой поверхности.