ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Управление параметрами массивов квантовых точек InAs--GaAs в режиме роста Странского--Крастанова

Н.А.Черкашин, М.В.Максимов , А.Г.Макаров, В.А.Щукин, В.М.Устинов, Н.В.Луковская,
Ю.Г.Мусихин, Г.Э.Цырлин, Н.А.Берт, Ж.И.Алферов, Н.Н.Леденцов *, Д.Бимберг *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Технический университет Берлина,
Берлин D-10623, Германия

(Получена 22 октября 2002 г. Принята к печати 28 октября 2002 г.)

Исследовалось влияние температуры роста на плотность, латеральный размер и высоту квантовых точек InAs-GaAs по данным просвечивающей электронной микроскопии. С увеличением температуры роста от 450 до 520oC наблюдается уменьшение плотности квантовых точек, а также увеличение их латерального размера и уменьшение высоты, т. е. точки приобретают более плоскую форму. Коротковолновый сдвиг линии фотолюминесценции свидетельствует об уменьшении объема квантовых точек. Наблюдаемые закономерности находятся в согласии с выводами термодинамической теории роста. Исследовалось также влияние понижения температуры подложки непосредственно после формирования квантовых точек на их параметры. При понижении температуры происходит уменьшение латерального размера точек и увеличение их плотности, т. е. массивы квантовых точек стремятся приобрести равновесные параметры, соответствующие температуре, до которой осуществляется охлаждение. Высота квантовых точек при охлаждении увеличивается очень быстро, и при конечном времени охлаждения может превышать равновесное значение, что открывает возможности для создания массивов квантовых точек с требуемым отношением высоты к латеральному размеру путем выбора времени охлаждения.

 PDF версия (315Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster