ФТП, 2003, том 37, выпуск 7: page 790...

ФТП, 2003, том 37, выпуск 7

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Спектральная фоточувствительность гетероструктур $a$ -SiGe : H/ $c$ -Si

А.А.Шерченков

Московский институт электронной техники,
124498 Москва, Россия

(Получена 23 декабря 2002 г. Принята к печати 27 декабря 2002 г.)

Представлены результаты исследования свойств гетеростурктур

a

-SiGe : H/c-Si, полученных высокоскоростным методом низкочастотного (55 кГц) плазмохимического осаждения. Показано, что пленки

a

-SiGe : H обладают высокой фоточувствительностью. Положением пика фоточувствительности гетероструктур

a

-SiGe : H/c-Si можно управлять в диапазоне от 830 до 920 нм за счет увеличения содержания Ge и уменьшения ширины запрещенной зоны сплава

a

-SiGe : H.