ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Инжекционный ИК лазер (lambda=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe,
выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии

С.В.Иванов, К.Д.Моисеев, В.А.Кайгородов, В.А.Соловьев, С.В.Сорокин, Б.Я.Мельцер,
Е.А.Гребенщикова, И.В.Седова, Я.В.Терентьев, А.Н.Семенов, А.П.Астахова,
М.П.Михайлова, А.А.Торопов, Ю.П.Яковлев, П.С.Копьев, Ж.И.Алферов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 ноября 2002 г. Принята к печати 20 ноября 2002 г.)

Впервые продемонстрирована лазерная генерация в среднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии и характеризующейся экстремально высокими асимметричными потенциальными барьерами (~ 1.5 эВ) для электронов и дырок в InAs активной области. Выходная мощность спонтанного излучения при 300 K составила не менее 0.3 мВт для светодиодов с круглой мезой.

 PDF версия (362Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster