| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние светового излучения на скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в -Si : H(B)
И.А.Курова, Н.Н.Ормонт, А.Л.Громадин
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (Физический факультет),
119992 Москва, Россия
ГИРЕДМЕТ, 109017 Москва, Россия
(Получена 24 сентября 2002 г. Принята к печати 6 ноября 2002 г.)
| Исследованы в темноте и при подсветке временные зависимости скоростей релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний электрически активных атомов примеси в легированных бором пленках -Si : H. Установлено, что в условиях подсветки скорость релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний атомов бора увеличивается в начальный период времени, когда скорость их фотоиндуцированной релаксации превышает скорость их фотоиндуцированного образования. |
| PDF версия (144Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2003, Коллектив авторов Разработано... webmaster |