ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе

Н.А.Поклонский , Е.Ф.Кисляков, С.А.Вырко

Белорусский государственный университет,
220050 Минск, Белоруссия

(Получена 14 ноября 2002 г. Принята к печати 18 ноября 2002 г.)

Рассматривается электрическое сопротивление на постоянном токе полупроводниковой квантовой проволоки в диэлектрической матрице, обусловленное взаимодействием носителей заряда с продольными акустическими фононами матрицы. Для случая невырожденного газа носителей в проволоке на основе приближения времени релаксации получены простые аналитические выражения для расчета электропроводности. При независящей от температуры концентрации носителей заряда сопротивление проволоки растет с температурой как T5/2, т. е. более сильно, чем в объемном ковалентном полупроводнике.

 PDF версия (80Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster