ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неомическая проводимость при переходе от слабой
к сильной локализации в структурах GaAs / InGaAs
с двумерным электронным газом

А.А.Шерстобитов, Г.М.Миньков , О.Э.Рут, А.В.Германенко,
Б.Н.Звонков *, Е.А.Ускова *, А.А.Бирюков *

НИИ физики и прикладной математики при Уральском государственном университете им. А.М. Горького,
620083 Екатеринбург, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт
при Нижегородском государственном университете им. Н.И. Лобачевского,
603600 Нижний Новгород, Россия

(Получена 18 сентября 2002 г. Принята к печати 30 октября 2002 г.)

Приведены исследования зависимостей проводимости от температуры и напряженности электрического поля в широком диапазоне значений проводимости (от sigma<< e2/h до sigma>> e2/h) на структурах GaAs / InGaAs / GaAs с двумерным электронным газом. Показано, что температурная зависимость омической проводимости не является достаточным критерием для определения механизма проводимости. Исследования неомической проводимости дают возможность определить диапазон значений низкотемпературной проводимости, когда диффузионный механизм проводимости сменяется прыжковым. Показано, что в исследованных структурах при увеличении беспорядка проводимость остается диффузионной вплоть до значений низкотемпературной проводимости, много меньшей, чем e2/h.

 PDF версия (230Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster