ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Низкотемпературная антистоксова фотолюминесценция в наноструктурах CdSe/ZnSe

М.Я.Валах , Н.В.Вуйчик, В.В.Стрельчук, С.В.Сорокин *, Т.В.Шубина *, С.В.Иванов *, П.С.Копьев *

Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 16 октября 2002 г. Принята к печати 28 октября 2002 г.)

Интенсивная антистоксова фотолюминесценция наблюдалась при низких температурах в структуре CdSe/ZnSe с одиночными вставками CdSe номинальной толщины 1.5 и 0.6 монослоев в матрице ZnSe. При возбуждении с энергией фотонов, заметно меньшей энергетического положения максимума антистоксовой полосы, получена близкая к квадратичной зависимость ее интенсивности от мощности возбуждения, а при резонансном возбуждении --- получена менее резкая зависимость. Механизм возбуждения антистоксовой фотолюминесценции интерпретирован на основе нелинейного процесса двухступенчатого двухфотонного поглощения через глубокие состояния дефектных центров, включающих катионные вакансии, локализованные на гетерогранице барьер--наноостровок.

 PDF версия (269Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster