ФТП, 2003, том 37, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Определение параметров многослойных наноструктур
с помощью двухволновой рентгеновской рефлектометрии

Н.Л.Попов , Ю.А.Успенский, А.Г.Турьянский, И.В.Пиршин, А.В.Виноградов, Ю.Я.Платонов *

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
119991 Москва, Россия
* Osmic Inc.,
48326 Auburn Hills, MT, USA

(Получена 9 сентября 2002 г. Принята к печати 16 октября 2002 г.)

Рассмотрен метод определения параметров многослойных наноструктур с помощью измерения угловой зависимости коэффициента отражения рентгеновских лучей на двух длинах волн. Предложена схема расчета, учитывающая специфику данного метода, которая позволяет работать с образцами любого размера и формы. Ее практическое опробование проведено на многослойных структурах C/Ni/C, Si1-xGex, AlxGa1-xAs. Показано, что двухволновая рефлектометрия позволяет исключить влияние аппаратных ошибок и, таким образом, надежно определять толщину, плотность и состав слоев как поли-, так и монокристаллических наноструктур.

 PDF версия (225Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster